马亮，男，回族，副教授，硕士研究生导师，“英才支持计划”入选者。2015年获湖南大学理学凝聚态物理博士。2015年7月至2018年5月在武汉华星光电技术有限公司工作，主要从事小尺寸液晶显示面板研发工作，设计产品有5.5”RGBW FHD显示屏，5.7HD+（18:9）显示屏（主要供应红米5手机），6.26Notch产品（对应小米系列手机）；在司共申请专利48篇，美国专利12篇，中国专利27篇，PCT专利8篇，其中3篇专利已授权。2018年5月至今在衡阳师范学院工作，主讲《电磁学与电动力学》、《大学物理》、《大学物理实验》、《热学》等课程。
主要从事低维半导体结构制备、新型微纳光电功能器件的研究，包括:（1）低维功能半导体结构材料制备；（2）新型微纳集成光电子功能器件；（3）低维功能半导体器件性能调控。（4）基于嵌入式光电传感器性能提升。（5）神经网络、深度学习和多功能物理场仿真。
2026年计划招收两至三名电子信息方向的研究生。
邮箱：ml_hw@hotmail.com QQ:334174082
欢迎感兴趣的研究生和本科生加盟！
课题组主页：https://www.x-mol.com/groups/ma_liang
近几年代表性科研项目：
1.主持国家自然科学基金项目，“高质量CsPbX3（X=Cl、Br、I）单晶纳米片的可控直立生长及光电特性研究”，项目编号：52302174，在研。
2.主持湖南省教育厅优秀青年项目，“高质量短波多色红外探测材料与器件研究”，项目编号：22B0726，已结题。
3.主持湖南省自然科学基金青年项目，“InAsP/InAs/InAsP超薄二维横向双异质结的可控生长及其光电特性研究”，项目编号：2020JJ5009，2020-2023，已结题。
指导本科生项目：
1.2018级学生瞿贻双主持校级大学生创新创业项目，“InP/WSe2异质结可控制备及光电性能研究”，项目编号：cxcy1969，已结题。
2.2022级本科生李果主持校级大学生创新创业项目，“基于NbOCl2/WS2异质结高性能偏振光电探测器的研究” ，项目编号：S202310546050，已结题。
3.2022级本科生刘嘉俊主持国家级大学生创新创业项目，“基于In2Se3/CaAl2Se4异质结的能带调控和光电特性研究”，项目编号：S202410546018，在研。
发表论文情况：
2025年：
Hu H.; Ma L.*; Zhao J.; Qi C.; Dai W.; Li W.; Zhao Y.; Wang Y.; Xu X.; Li Z.*; Li H.; Wei X.*; Controlled Growth of Vertical-standing Bandgap-tunable Perovskite Nanoplates for Multicolor Photodetectors, Adv. Funct. Mater. 2025, e19572. https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202519572
Fu W.; Wang Y.; Zhao Y.; Ma L.*; Tang S.*; Strain tunable band alignment and photoelectric properties of CaAl2S4/InGaSe2 van der Waals heterostructure, ChemPhysChem 2025, 2500281. https://doi.org/10.1002/cphc.202500281
Ma, L.*; Li G.; Chen Y.; Zhang W.; Li H.*; Yang D.; Zhao Y.; Xu X.; Wang Y.*; High Rectification Ratio Photodetectors Based on NbOCl2/CsPbBr3 Van der Waals Heterostructure, J. Mol. Struct. 2025, 143059. https://doi.org/10.1016/j.molstruc.2025.143059
Zhao, Y.; Tang Y.; Dai W.; Wang Y.; Xu X.; Li H.*; Ma, L.*; Ferroelectric and strain tunable band alignment and photoelectric properties of α-In2Se3/CaAl2Se4 vander Waals heterostructure, Langmuir 2025, 41, 30, 19642-19650. https://doi.org/10.1021/acs.langmuir.5c00238
Dai W.; Zhu Y.; Peng X.; Li H.; Zhao Y.; Wang Y.; Xu X.; Zhou W.; Ma, L.*; Wei X.*; Robust non-volatile optical response for optoelectronic synapses in the Dual-parallel α-In2Se3 Device Architecture. Nano Research 2025 18(11): 94907691. https://doi.org/10.26599/NR.2025.94907691
Yang, D.; Sheng, H.; Li, G.; Li, H.; Zhao, Y.; Li, Z.; Ma, L.*; Wang, Y.*; Zhang, D.*, In-Situ High-Performance Photodetectors Based on CdSe Nanobelts Decorated with CuI Nanocrystals. ACS Appl. Mater. Interfaces. 2025, 17, 29855-29863. https://doi.org/10.1021/acsami.5c01910
Wang, Y.; Yang, W.; Xu, X.; Tan, Y.; Yang, T.*; Liu, G.; Yang, D.; Li, Y.; Zhao, Y.; Li, H.; Ma, L.*; Xiao,B.; Zhou, W.*; Rectified electrical transport and self-powered photoresponse in ZnTe/WS2 heterostructures. Solid State Commun. 2025, 397, 115782. https://doi.org/10.1016/j.ssc.2024.115782
Yang, D.; Zhao, Y.*; Yang, T.; Liu, C.; Li, H.; Li, Z.*; Zhang, Z.; Ma, L.*, Vis-Infrared Wide-band and Self-powered Photodetectors Base on CuI/MoS2 Van der Waals Heterostructure. J. Mol. Struct. 2025, 1323, 1440773. https://doi.org/10.1016/j.molstruc.2024.140773
2024年：
Zhao, Y.; Tan, Q.*; Li, H.; Li, Z.; Wang, Y.; Ma, L.*, Tunable electronic and photoelectric properties of Janus group-III chalcogenide monolayers and based heterostructures. Sci. Rep. 2024, 14 (1), 10698. https://doi.org/10.1038/s41598-024-61373-z
2023年：
Ma, L.*; Liu, D.; Xiao, B., et al., Pressure and strain engineering of the structural and electronic transitions in ReS2. J. Phys.: Condens. Matter 2023, 35 (36), 365402. https://doi.org/10.1088/1361-648X/acd7b9
He, Z.; Guan, H.; Liang, X.; Chen, J.; Xie, M.; Luo, K.; An, R.; Ma, L.; Ma, F.; Yang, T.; Lu, H., Broadband, Polarization-Sensitive, and Self-Powered High-Performance Photodetection of Hetero-Integrated MoS2 on Lithium Niobate. Research 2023, 6, 0199. https://doi.org/10.34133/research.0199
2022年：
Ma, L.; Wang, Y.; Zhao, Y.*, Tunable Band Gap and Raman Shifts of Two-Dimensional ReX2 (X=S, Se): Layer and Temperature Effect. J. Electron. Mater. 2022, 51 (7), 3919-3924. https://doi.org/10.1007/s11664-022-09647-y
Ma, L.; Tan, Y.; Zhou, W.; Zhao, Y.*; Wang, Y.*, In-situ strain engineering on the emission and photoresponse of epitaxial vertical and horizontal CsPbBr3 triangular nanoplates. Mater. Lett. 2022, 315, 131931. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2022.131931
2022年以前：
Ma, L.; Hu, W.; Zhang, Q.; Ren, P.; Zhuang, X.; Zhou, H.; Xu, J.; Li, H.; Shan, Z.; Wang, X.; Liao, L.; Xu, H. Q.; Pan, A.*, Room-Temperature Near-Infrared Photodetectors Based on Single Heterojunction Nanowires. Nano Letters 2014, 14 (2), 694-698. https://doi.org/10.1021/nl403951f
Ma, L.; Zhang, X.; Li, H.; Tan, H.; Yang, Y.; Xu, Y.; Hu, W.; Zhu, X.; Zhuang, X.; Pan, A.*, Bandgap-engineered GaAsSb alloy nanowires for near-infrared photodetection at 1.31 μm. Semiconductor Science & Technology 2015, 30 (10), 105033. https://doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105033
Xu, J.#; Ma, L.#; Guo, P.; Zhuang, X.; Zhu, X.; Hu, W.; Duan, X.; Pan, A.*, Room-temperature dual-wavelength lasing from single-nanoribbon lateral heterostructures. J. Am. Chem. Soc. 2012, 134 (30), 12394-7. https://doi.org/10.1021/ja3050458
Xu, J.; Li, H.; Zhuang, X.; Zhang, Q.; Guo, P.; Ma, L.; Pan, A.*, Synthesis and optical characterizations of chain-like Si@SiSe2 nanowire heterostructures. Nanoscale 2012, 4 (5), 1481-1485. https://doi.org/10.1039/c1nr10844a
Xu, J.; Zhuang, X.; Guo, P.; Zhang, Q.; Ma, L.; Wang, X.; Zhu, X.; Pan, A.*, Dilute tin-doped CdS nanowires for low-loss optical waveguiding. J. Mater. Chem. C 2013, 1 (28), 4391-4396. https://doi.org/10.1039/c3tc30492b
Li, H.; Duan, X.; Wu, X.; Zhuang, X.; Zhou, H.; Zhang, Q.; Zhu, X.; Hu, W.; Ren, P.; Guo, P.; Ma, L.; Fan, X.; Wang, X.; Xu, J.; Pan, A. *; Duan, X., Growth of Alloy MoS2xSe2(1–x) Nanosheets with Fully Tunable Chemical Compositions and Optical Properties. J. Am. Chem. Soc. 2014, 136 (10), 3756-3759. https://doi.org/10.1021/ja500069b
Ren, P.; Hu, W.; Zhang, Q.; Zhu, X.; Zhuang, X.; Ma, L.; Fan, X.; Zhou, H.; Liao, L.; Duan, X.; Pan, A.*, Band‐Selective Infrared Photodetectors with Complete‐Composition‐Range InAsxP1‐x Alloy Nanowires. Adv. Mater. 2014, 26 (44), 7444-9. https://doi.org/10.1002/adma.201402945
Ren, P.; Zhu, X.; Han, J.; Xu, J.; Ma, L.; Li, H.; Zhuang, X.; Zhou, H.; Zhang, Q.; Xia, M.; Pan, A. *, Synthesis and Diameter-dependent Thermal Conductivity of InAs Nanowires. Nano-Micro Lett. 2014, 6 (4), 301-306. https://doi.org/10.1007/s40820-014-0002-8
Zou, Y.; Li, H.; Ren, P.; Xu, J.; Ma, L.; Wang, X.; Fan, X.; Shan, Z.; Zhuang, X.; Zhou, H.; Zhang, Q.; Pan A.*, Microphotoluminescence of individual ZnSe nanoribbons. Mater. Lett. 2014, 129 (21), 118-121. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2014.05.015
Tan, H.; Fan, C.; Ma, L.; Zhang, X.; Fan, P.; Yang, Y.; Hu, W.; Pan, A.*, Single-Crystalline InGaAs Nanowires for Room-Temperature High-Performance Near-Infrared Photodetectors. Nano-Micro Lett. 2016, 8 (1), 29-35. https://doi.org/10.1007/s40820-015-0058-0
Xu, Y.; Liu, R.; Ma, L.; Li, D.; Yang, Y.; Dai, G.; Wan, Q.*, Fabrication of GaInPSb quaternary alloy nanowires and its room temperature electrical properties. Appl. Phys. A 2017, 123 (1), 6. https://doi.org/10.1007/s00339-016-0590-x
授权专利情况：
1. 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置（证书号第3206903号，专利号：ZL201610367097.9）
2. 液晶显示面板的测试结构及制造方法（证书号第3227610号，专利号：ZL201610728816.5）
3. 成盒测试电路以及液晶显示基板（证书号第3336238号，专利号：ZL201610649163.1）
4. 阵列基板及液晶显示器（证书号第3411095号，专利号：ZL201610729146.9）
5. 显示面板及其像素结构（证书号第3512444号，专利号：ZL201710287930.3）
6. 显示器及其显示面板（证书号第3609813号，专利号：ZL201610728797.6）
7. 管式炉高温控制软件（证书号：软著登字第8288609号，登记号：2021SR1565983）
8. 等离子型化学气相沉积设备模拟器操控软件（证书号：软著登字第8288404号，登记号：2021SR1565778）
9. 管式炉自动线控系统（证书号：软著登字第8288650号，登记号：2021SR1566024）
10.一种条状InAs纳米带及其制备和应用（专利号ZL201510098082.2）
11.光致发光显示面板（专利号：ZL201611262897.0）
12.多路复用型显示驱动电路（专利号：ZL201610379791.2）
13.测试电路（专利号：201610549964.0）
获奖情况：
获2023年全国科学实验展演汇演预选赛暨湖南省科学实验展演汇演二等奖。