9月29日下午，应学院邀请，中国科学院大学邓惠雄教授在三楼会议室作了题为“半导体中的掺杂与缺陷物理”的学术报告。学院领导谭延亮教授、唐振坤教授、凌晓辉教授，以及部分教师和研究生参加了此次报告会。

邓惠雄教授从材料的导电性出发，介绍了半导体材料优良的可调控性，并以微电子和光电子器件的制备为例，讲述了掺杂和缺陷控制是半导体材料应用于集成电路的核心技术之一。报告会期间，邓惠雄教授和我院师生围绕半导体中的掺杂与缺陷相关问题展开了热烈讨论，主要包括：低维半导体、宽禁带半导体中的缺陷与掺杂物理、热力学非平衡掺杂与缺陷物理，器件中的缺陷调控等。

报告会结束后，邓惠雄教授与我院师生就一些科学问题进行了深入的交流和探讨。报告内容丰富，有助于师生了解最新科研动态、扩宽学术视野，激发对于学术研究的兴趣。

专家简介：

邓惠雄，博士，研究员，国科大岗位教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金、优秀青年科学基金获得者，中国科学院青促会优秀会员。2010年毕业于中国科学院半导体研究所。2011年至2014年初，在美国再生能源国家实验室 (NREL) 从事博士后研究。 2014年2月回到中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室。长期从事半导体物理、半导体缺陷物理、半导体材料与器件的物性探究与设计等领域的研究工作。迄今已经在Nature、Science、Nature Energy、Nature Comm.、Phys. Rev. Lett.、Adv. Mater.、Phys. Rev. X、Phys. Rev. B等期刊上发表SCI论文110多篇。